摘要
在传统厚膜PTC热敏电阻浆料制备技术的基础上,改进了功能相的制备方法,研究烧结峰值温度对厚膜PTC热敏电阻的影响,并用SEM对厚膜PTC热敏电阻的微观结构进行了观察分析。结果表明:随着烧结峰值温度上升,方阻RS下降,TCR上升;烧结膜厚为18μm时,重烧性能在850~865℃范围内达到最佳,此时阻值均匀性也最好。
- 出版日期2006-1-25
- 单位中国人民解放军国防科学技术大学
在传统厚膜PTC热敏电阻浆料制备技术的基础上,改进了功能相的制备方法,研究烧结峰值温度对厚膜PTC热敏电阻的影响,并用SEM对厚膜PTC热敏电阻的微观结构进行了观察分析。结果表明:随着烧结峰值温度上升,方阻RS下降,TCR上升;烧结膜厚为18μm时,重烧性能在850~865℃范围内达到最佳,此时阻值均匀性也最好。