低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

作者：张权生; 吴荣汉; 林世鸣; 高洪海; 高文智; 吕卉; 韩勤; 段海龙; 杜云; 芦秀玲

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1992, (02): 103-108+132.

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• InP
• InGaAsP/InP PBH

一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.

• 出版日期1992
• 单位中国科学院半导体研究所