采用低温水热方法,在经预先修饰的基底上制备出取向高度一致的ZnO纳米棒阵列.用SEM和XRD等手段对制备的纳米棒阵列进行了表征.ZnO纳米棒阵列水热生长动力学表明:当生长时间在8h内时,纳米棒的生长速度较快,之后纳米棒的生长近乎停止,棒的长度和直径基本不再改变.在生长速度较快的8h内时,纳米棒的径向生长由两个明显的动力学过程组成,即由生长时间在1.5h内的快速生长步骤和随后的慢速生长步骤组成;纳米棒的长度以约5.5nm.min-1的生长速度增加至2.4μm.
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