拓展临近效应由纳米连接制备亚20nm金属Nanogaps(英文)

作者：孙艳; 陈鑫; 戴宁

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (09): 1666-1669.

• 金属nanogap
• 纳米构筑技术
• 临近效应
• 电子束光刻 metal nanogap
• nanofabrication
• proximity effect
• electron beam lithography

描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法.结合图形转移过程(如去胶等),利用临近效应灵活有效地制备了金属(如Au或者Ag等)Nanogap结构及其阵列.采用GDSII软件设计图形,以电子束光刻为手段制备Nanogap的原始纳米连接图形,然后通过去胶过程获得金属的Nanogap.另外,通过控制电子束光刻的剂量,能够把Nanogap的尺寸降低到约10nm.

• 出版日期2008
• 单位中国科学院上海技术物理研究所