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摘要
在容性耦合SF6/O2等离子体织构化处理的单晶Si衬底上旋涂P3HT(poly(3-hexylthiophene))以制作杂化太阳能电池,研究不同激发频率下得到的晶硅表面纳米织构对该杂化电池性能的影响。实验结果表明:激发频率的增大促使了电池表面反射率的降低,增强了杂化电池的光电转化效率。40.68 MHz激发频率下等离子体织构处理的单晶Si制成的杂化电池光电转换效率达到1.14%。此外,空气中存放时间对电池片性能影响的研究表明40.68 MHz织构的硅/P3HT杂化电池片具有较好的电池特性和稳定性。
- 出版日期2015
- 单位苏州大学
