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摘要
本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明，未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷，这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比，样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加，提高了ＧａＮ中黄光发射，使持续光电导衰变减慢，但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特性与两样品生长温度有明显关系．随测量温度的增加，持续光电导衰变加快，衰变曲线能用扩展指数定律进行拟合．
- 出版日期1999
- 单位中国科学院半导体研究所
