钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

作者：陈振; 韩培德; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 王秀凤; 朱勤生; 王占国

来源：发光学报, 2003, (02): 135-138.

• InGaN
• 量子点
• 光学特性

采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6 3×1010/cm2。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性———超长红移现象。它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应。

• 出版日期2003
• 单位中国科学院半导体研究所; 清华大学