基于TCAD和Geant 4的SRAM单粒子效应评估

作者：陈善强; 师立勤

来源：空间科学学报, 2011, (04): 498-502.

• 单粒子效应
• 三维模拟
• Geant 4
• SRAM Single Event Effect
• 3D simulation
• Geant 4
• SRAM

基于Geant4和TCAD(Technology-Computer Aided-Design)建立了一套评估静态存储器(SRAM)单粒子效应的方法.该方法利用TCAD软件模拟半导体存储单元对粒子能量沉积的响应,获得SRAM的重离子单粒子翻转截面,并应用蒙特卡罗工具包Geant 4计算质子与硅材料的核反应以及次级粒子在灵敏体积内的能量沉积,进而获得质子的单粒子翻转率.利用该方法,计算了TSMC 0.18μm未加固SRAM的重离子和质子翻转率,通过与同工艺SRAM的重离子实验结果进行比较,初步验证了该方法的有效性.该方法不依赖于地面模拟实验,可以用来评估处于设计阶段的抗辐射加固器件.

• 出版日期2011
• 单位中国科学院大学; 中国科学院国家空间科学中心