p型GaSb窗口层在热光伏电池中的应用研究

作者：靳果; 朱清智

来源：人工晶体学报, 2020, 49(04): 638-645.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.04.013

• 生长基底
• 衬底温度
• 厚度
• 掺杂浓度
• AM1.5测试
• AFORS-HET仿真

为了提高GaSb热光伏电池的转换效率,在电池结构中引入p+-GaSb窗口层,研究了生长基底、衬底温度和反应物源温度对p+-GaSb薄膜性能的影响,并优化了电池结构中p+-GaSb窗口层的厚度和掺杂浓度。实验结果表明,生长基底和温度等制备参数影响着p+-GaSb薄膜的结构特性和电学特性,而且,较薄的高掺杂p+-GaSb层有利于提高电池性能。通过测试和仿真,热光伏电池的转换效率达到9.49%(AM1.5测试)和20.34%(AFORS-HET仿真)。

• 单位
  自动化学院; 河南工业职业技术学院; 西北大学