纳米Ge-SiO_2薄膜对1342nm激光的被动调Q

作者：王燕飞; 王加贤; 张培; 杨先才

来源：华侨大学学报(自然科学版), 2011, (04): 385-388.

• 激光技术
• Nd∶YVO4激光器
• 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜
• 被动调Q
• 可饱和吸收体 laser technique
• Nd∶YVO4 laser
• nc-Ge/SiO2 films
• passive Q-switching
• saturable absorber

采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约为40 ns,重复频率为33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.根据实验现象并结合薄膜结构,认为纳米Ge-SiO2薄膜的界面态和缺陷态是产生调Q的主要原因.

• 出版日期2011
• 单位华侨大学