电阻率对硅衬底微波传输特性影响分析

作者：刘勇

来源：现代电子技术, 2014, (12): 49-51+55.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2014.12.025

• 电阻率
• 硅衬底
• 微带线
• 插入损耗 resistivity
• Si-substrate
• microstrip line
• insertion loss
• 10 Ω/cm to 4000 Ω/cm

针对传统硅衬底介质损耗大的现象,通过软件电磁仿真手段分析不同电阻率硅衬底上微带线的传输特性,系统研究电阻率变化对硅衬底微波传输特性的影响,并与基于MEMS三维加工的低阻硅衬底进行比较。在30 GHz频率范围内,当硅衬底电阻率从10Ω·cm提升至4 000Ω·cm时,微带线插入损耗从20 dB/cm降低至0.6 dB/cm。电阻率大于100Ω·cm的高阻硅衬底微波传输特性优于带MEMS空腔的10Ω·cm低阻硅衬底。结果表明提升电阻率可有效降低硅衬底微波传输损耗,结合低成本成熟工艺等优点,高阻硅衬底具有广阔的微波集成应用前景。

• 出版日期2014
• 单位中国电子科技集团公司第三十八研究所