Al_2O_3薄膜的发光性能及其结构研究

作者：储汉奇; 李合琴; 聂竹华; 都智; 朱景超

来源：真空与低温, 2010, (02): 90-94.

• Al2O3薄膜
• 直流反应磁控溅射
• 氧氩比例
• 光致发光光谱
• 氧空位
• XRD Al2O3 thin films
• reactive DC magnetron sputtering
• O2/Ar ratio
• Photoluminescence spectrometry
• oxygen vacancy
• XRD

以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变,强度先上升后下降,这是由于氧氩比例的改变导致氧空位浓度变化引起的。通过对未退火及不同温度退火样品的XRD分析发现:室温沉积的Al2O3薄膜为非晶态,400℃退火开始有晶体出现,且退火温度越高,结晶性能越好。

• 出版日期2010
• 单位合肥工业大学