模拟分析SiH_4和N_2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO_2薄膜

作者：陈心园; 黄建; 邓伟; 王维; 周筑文

来源：贵州师范学院学报, 2014, (09): 75-79.

DOI：10.13391/j.cnki.issn.1674-7798.2014.09.037

• 粒子模拟实验
• 硅烷
• 笑气
• 二氧化硅
• 等离子体加强化学沉积(PECVD)
• SiO2薄膜 particle simulation
• silane
• nitrous oxide
• silica
• plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
• SiO2thin film

通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜的实验过程,通过这些粒子模拟实验(PIC),从理论上合理地解释了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成机制。

• 出版日期2014
• 单位贵州师范学院