实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制

作者：林涛; 郑凯; 王翠鸾; 王俊; 王勇刚; 仲莉; 冯小明; 马骁宇

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (08): 1467-1470.

• 金属有机物化学气相沉积
• 半导体激光器
• 1730nm波段
• 磷化铟

报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pnpn结限制掩埋结构,有源区脊宽2μm、腔长300μm.室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA,8mW输出功率时的工作电流为60±5mA.采用TO封装后,100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW,输出波长为1732±10nm,高温恒流加速老化筛选实验表明,器件具有长期工作的可靠性,满足实用化要求.

• 出版日期2006
• 单位中国科学院半导体研究所