不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究

作者：李阳

来源：兵器材料科学与工程, 2010, (04): 4-7.

DOI：10.14024/j.cnki.1004-244x.2010.04.029

• 薄膜晶体管
• 多晶硅薄膜有源层
• 电学特性 thin film transistor
• polysilicon thin films active layer
• electrical properties

多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)因较非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)相比具有更高的场效应迁移率而成为目前显示界研究的热点。在制备多晶硅薄膜及其TFT器件的过程中,发现不同厚度的多晶硅薄膜具有不同的电学特性。经分析,不同厚度的多晶硅薄膜有源层TFT器件也势必表现出不同的器件电学特性。为此,制备3种多晶硅薄膜有源层厚度的TFT器件,比较且优化器件的各种电学特性—场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比等,最后确定TFT器件有源层的最佳厚度。

• 出版日期2010
• 单位五邑大学