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摘要
为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置。该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面形貌,结果显示籽晶表面无杂质和沾污。通过在晶体引晶部位的不同位置取样进行霍尔测试。测试结果显示,用常规静态方式和动态方式处理的籽晶,其生长出晶体引晶部分的样品的平均迁移率分别约为4 100 cm2/(V·s)和4 600 cm2/(V·s),平均载流子浓度分别约为7×1015 cm-3和4×1015 cm-3。通过该装置及工艺处理的籽晶,表面被处理得彻底、无沾污,容易生长出电学参数优异的晶体。
- 出版日期2021
- 单位专用集成电路重点实验室; 中国电子科技集团公司第十三研究所
