科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
亚波长尺度光子晶体结构可有效提升发光二极管(LED)的光提取效率(LEE),然而在制造过程中会存在缺陷或无序.利用时域有限差分法对理想方形光子晶体结构进行了优化,在此基础上对三种无序光子晶体结构进行了仿真,研究了光子晶体结构参数的无序变化对GaN基蓝光LEDLEE的影响.结果表明,光子晶体空气孔位置和半径的无序变化使优化的80nm光子晶体LED的LEE下降,而可使非优化的60nm光子晶体LED的LEE增加;当光子晶体空气孔位置和半径的无序变化量从0到±20nm之间变化时,LEE最大会产生53.8%的浮动;光子晶体刻蚀深度的无序变化对LEE影响较小,一般可以忽略.研究结果为高性能蓝光光子晶体LED的设计制作提供了重要的理论参考.
