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摘要
本发明的一种单像素成像的半导体晶圆表面缺陷提取方法及存储介质,其方法包括以下步骤,获取一个无缺陷晶圆的表面图像；将获取到的无缺陷的晶圆图像预处理到哈达玛投影图案中,形成一系列全新的编码照明图案；将这一系列新的编码照明图案投影到待测晶圆表面,并使用一个光电探测器获取编码照明图案调制到晶圆表面的反射光强值,所获取的反射光强值将只包含了晶圆表面缺陷的形貌特征,没有缺陷的部分将被滤除；根据获取到的反射光强值,计算晶圆表面缺陷的哈达玛谱,使用哈达玛反变换,将哈达玛谱转换成晶圆表面缺陷的图像,从而实现对晶圆表面缺陷的提取。本发明只对缺陷部分进行成像和处理,对无缺陷的冗余部分进行了滤除,降低了计算开销,提高了缺陷提取的有效性。
- 出版日期2022-12-20
- 单位合肥工业大学
