电弧离子镀制备TiAlN膜工艺研究

作者：吕树国; 李玉海; 张罡; 姚俊; 毕鉴智; 金光

来源：沈阳理工大学学报, 2006, (01): 78-82.

• 电弧离子镀
• TiAlN膜层
• 偏压
• 抗氧化性
• 气体离子源 arc ion plating
• TiAiN coating
• bias voltage
• oxidation resistance
• gas ion source

采用阴极电弧离子镀技术在1Cr18N i9Ti不锈钢基材上制备TiA lN膜层,镀膜装置为俄罗斯科学院UVN 0.5D2 I电弧离子镀膜机,该设备由一个大功率的气体离子源和两个金属蒸发源组成.气体离子源具有气体离子轰击和辅助沉积的特点.研究了电弧电流、负偏压和气体离子源功率等工艺参数对膜层的影响规律.实验结果表明:气体离子源具有明显的细化金属颗粒的作用.提出了制备TiA lN膜层的最佳工艺,得到了厚度为5~10μm、相结构为Ti0.5A l0.5N、显微硬度为1200HV0.01的TiA lN膜层.

• 出版日期2006
• 单位沈阳理工大学