快速热退火制备多晶硅薄膜的研究

作者：王红娟; 吕晓东; 黄义定; 仲志国

来源：电子元件与材料, 2009, 28(04): 55-57.

• 半导体材料
• 快速热退火
• 多晶硅薄膜
• 升温速率
• 晶粒度 semiconductor materials
• rapid thermal annealing (RTA)
• polycrystalline silicon thin film
• heating rate
• grain size

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅薄膜,然后在快速热退火炉中进行退火。研究了升温速率、降温速率对晶化的影响。结果表明:退火中,升温速率越大,越不利于晶核的形成;降温速率较小时(100℃/60s),形成的晶粒尺寸较小,晶化情况较好,晶化率估算达64.56%。

• 出版日期2009
• 单位南阳师范学院; 电子工程学院