摘要

金属-半导体-金属(MSM)结构探测器结构简单,可避免材料因高掺杂所带来的困难,简化了加工、制备的过程。MSM型紫外探测器优点多:高增益、暗电流低、响应速率快、大带宽以及高灵敏度。但MSM型探测器工作在偏压状态下,工作偏压决定了探测器耗尽区的范围,因此,探测器的特性参数与工作偏压有关。本文主要从理论分析研究硅基MSM光电探测器结构原理及工艺特点。