MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究

作者：马宏易新建金锦炎杨新民李同宁

来源：中国激光, 2002, (03): 193-196.

• AlGaInAs
• 应变补偿量子阱
• 低压金属有机化学气相外延
• 无致冷 AlGaInAs
• strain-compensated quantum well
• LP-MOVPE
• uncooled

通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5～ 85℃ )≤ 1 0dB。

• 出版日期2002
• 单位武汉邮电科学研究院; 华中科技大学