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摘要
通过高温固相法首次合成并报道了兰紫色ZnO Al2O3 SiO2长余辉陶瓷,系统地研究了其发光和缺陷性质。在强度0.6mW·cm-2,主峰254nm的UVP紫外灯下激发15min,然后关闭激发源,样品发射兰紫色长余辉。撤去激发源以后5s,余辉初始强度为230mcd·m-2,色坐标为(0.1292,0.0984)。暗视场中,8h以后余辉仍然肉眼可辨。样品的紫外可见发射和不同时间的余辉发射光谱显示:荧光发射位于390nm,来源于基质的自致发光;而余辉有两个发射峰,主峰位于390nm,肩峰位于520nm。这表明样品中存在两种余辉发射中心。由余辉衰减曲线可以看出,这两种余辉发光都由一个快过程和一个慢过程组成。其中,慢过程决定了材料的长余辉时间。从时间依赖的余辉强度倒数曲线可以看出,余辉强度与时间成反比,这表明余辉发光的机理为电子空穴复合过程。热释光谱显示:样品分别在92和250℃附近出现两个宽的热释峰,说明材料中至少存在两种具有不同陷阱深度的电子或空穴缺陷中心。
- 出版日期2002
- 单位中山大学; 中国科学院长春应用化学研究所; 化学与化工学院
