科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217%。采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理。退火处理后晶体的红外透过率有明显改善。在4000 cm-1~7000 cm-1范围内红外透过率由原先低于25%改进到高于40%;在750 cm-1~4000 cm-1范围的红外透过率由原先低于45%改善到超过50%,在2000 cm-1~750 cm-1区域甚至高达60%。结果表明:采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备。
- 出版日期2008-2-15
- 单位四川大学
