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摘要
为了研究不同环境气压条件下纳米Si晶粒成核区的范围,采用波长为308 nm的XeCl脉冲准分子激光器,分别在1—200 Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离烧蚀点正下方2.0 cm处水平放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉积制备了纳米Si薄膜.Raman谱和X射线衍射谱测量证实了薄膜中纳米Si晶粒已经形成.扫描电子显微镜的测量结果表明,环境气压的变化影响了衬底上纳米Si晶粒的平均尺寸及其分布范围.根据成核区位置的确定方法,计算得出随着环境气压的增加纳米Si晶粒成核区的范围先变宽后变窄的规律.从烧蚀动力学的角度对实验结果进行了分析.
