BSIM SOI阈值电压模型参数的提取

作者：李瑞贞; 李多力; 杜寰; 海潮和; 韩郑生

来源：电子器件, 2007, (01): 33-36.

• SOI
• 参数提取
• 阈值电压
• 遗传算法 SOI
• parameters extraction
• threshold voltage
• genetic algorithm

阈值电压是MOSFET最重要的参数,阈值电压模型是MOSFET模型中最重要的部分.目前模型参数的提取主要通过商业软件来完成,商业软件由于价格昂贵以及内部机理的复杂性限制了它们的应用.本文提出了遗传算法和局部优化相结合来提取BSIMSOI阈值电压模型参数的方法,该方法简单易用,且具有较高的精确度,适合推广使用.

• 出版日期2007
• 单位中国科学院微电子研究所