4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

作者：吴健; 雷家荣; 蒋勇; 陈雨; 荣茹; 范晓强

来源：强激光与粒子束, 2013, (07): 1793-1797.

• 电荷收集效率
• 半导体探测器
• 宽禁带半导体
• 4H碳化硅 charge collection efficiency
• diode detector
• wide band gap semiconductor
• 4H-SiC

针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241 Am源α粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.99×1015/cm3。从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21nA,具有较高的击穿电压。在反向偏压为0～350V范围内研究了该探测器对3.5MeVα粒子电荷收集效率,在0V时为48.7%,在150V时为99.4%,表明该探测器具有良好的...

• 出版日期2013
• 单位中国工程物理研究院; 中国工程物理研究院核物理与化学研究所