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摘要
用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延 (MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析 .发现红外分子束外延 (RF MBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层 ,C主要为物理吸附 ,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层 ,并形成一定的深度分布 .杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级 ,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动 ,光致发光谱出现宽带发光峰 .从而影响GaN薄膜的电学和光学性质
- 出版日期2001
- 单位西安理工大学; 西安交通大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
