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摘要
本发明公开了一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统,该方法包括：基于通用数据,运用仿真软件建立FinFET器件模型并进行电仿真,获取电特性参数；通过对FinFET器件模型进行热仿真,获得热参数；根据所述热参数修改仿真的环境温度,在FinFET器件受自热影响的环境下修正FinFET器件模型的电特性参数；最后建立基于自热效应的FinFET器件模型。本发明提供的一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统,与不考虑自热效应的传统建模相比较,能够降低器件仿真的误差、提高建模的精准性、提高可靠性分析的准确性。
- 出版日期2021-7-9
- 单位华南理工大学
