钨丝掺杂对碳化硅放电等离子烧结工艺曲线的影响研究

作者：孙红婵; 胡冰; 张桓; 李晨辉; 王鑫阁; 张红松

来源：硅酸盐通报, 2014, (12): 3196-3199.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2014.12.043

• 碳化硅
• 钨丝
• 烧结工艺 SiC
• W
• sintering process

采用放电等离子烧结技术分别制备了Si C和钨丝掺杂Si C材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分。分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中Si C-W烧结第二阶段温度明显低于Si C烧结温度,且位移量小于Si C。

• 出版日期2014
• 单位河南工程学院; 华北理工大学