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摘要
本发明公开了一种掺杂钽氮化合物薄膜及其制备方法,属于电子元件领域。本发明所述制备方法创造性地采用共溅射的方法对钽氮化合物进行银元素掺杂,不仅可实现元素掺杂的连续可调,快速锁定实际最佳掺杂量,缩短研发周期,同时掺杂的银原子以间隙原子的形式存在于产品当中,物相简单,稳定性高,产品的电阻率高且TCR接近0,生产效益极高。本发明还公开了所述制备方法制备的掺杂钽氮化合物薄膜及其在电子元件制备中的应用。
- 出版日期2022-7-1
- 单位华南理工大学; 广东风华高新科技股份有限公司
本发明公开了一种掺杂钽氮化合物薄膜及其制备方法,属于电子元件领域。本发明所述制备方法创造性地采用共溅射的方法对钽氮化合物进行银元素掺杂,不仅可实现元素掺杂的连续可调,快速锁定实际最佳掺杂量,缩短研发周期,同时掺杂的银原子以间隙原子的形式存在于产品当中,物相简单,稳定性高,产品的电阻率高且TCR接近0,生产效益极高。本发明还公开了所述制备方法制备的掺杂钽氮化合物薄膜及其在电子元件制备中的应用。
