Al掺杂纤锌矿GaN电子结构第一性原理计算

作者：陈俊利; 尹海涛; 郑青松

来源：哈尔滨师范大学自然科学学报, 2016, (03): 63-65+72.

• GaN
• AlN
• 第一性原理
• 带隙 GaN
• AlN
• First principle
• Band gaps

采用第一性原理方法,在LMTO-MBJ框架下精确的计算Ga N和Al N的电子结构,计算结果与实验值一致.应用CPA的方法计算任意量的Al掺杂Ga N合金的电子结构,理论计算表明,Ga N的带隙宽度随Al掺杂浓度x的增大而增大,而且满足关系式Eg=3.43+2.3x(0≤x≤0.65),Eg=2.45+3.7x(0.65≤x≤1).计算可为氮化物半导体Ga N、Al N及其三元合金化合物Ga1-xAlxN的实验研究提供理论依据.

• 出版日期2016
• 单位哈尔滨师范大学