PECVD制备AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜

作者:陈兆权; 刘明海; 刘玉萍; 陈伟; 罗志清; 胡希伟
来源:Acta Physica Sinica, 2009, 58(06): 4260-4266.
DOI:10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.102

摘要

采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)工艺在普通玻璃和Si基上制备出了方块电阻低至89Ω,可见光透过率高达79%,对基体附着力强的多晶态的AZO(ZnO:Al)薄膜.采用PECVD法制备AZO薄膜是一种有益的尝试,AZO透明导电薄膜不仅具有与ITO(透明导电薄膜,如In2O3:Sn)可比拟的光电特性,而且价格低廉、无毒,在氢等离子体环境中更稳定,所获结果对实际工艺条件的选择具有一定借鉴作用和参考价值.

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