超低电压SRAM(静态随机存储器)是SRAM设计的一个重要研究方向。传统SRAM一方面由于静态噪声容限的下降,难以在低电压下正常工作,另一方面存在着严重的半选择问题。文章提出了一种9T(9管)结构的SRAM存储单元结构,该结构可以适应亚阈值电压的工作条件,同时可以避免读操作过程中的半选择问题。仿真实验显示,与传统8T SRAM结构相比,文章的9T存储单元可以节省至少68%的来自阵列的功耗。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
