BP-212正性光刻胶的抗蚀特性研究

作者：郑志霞; 冯勇建; 张丹; 林雁飞

来源：微纳电子技术, 2005, (02): 87-89+94.

• 正性光刻胶
• 掩膜
• 坚膜
• 湿法腐蚀 positive resist
• masking
• hardbake
• wet etch

BP-212正性光刻胶作为掩膜在BHF腐蚀液中腐蚀十几分钟后,光刻胶被腐蚀液破坏而浮胶。玻璃或热生长的二氧化硅深槽腐蚀时间要求几十分钟,传统解决办法是多次光刻腐蚀。本文研究了光刻胶抗腐蚀特性,得出足够的活化时间、合适的匀胶转速、多次坚膜腐蚀可以延长产生浮胶时间的结论。

• 出版日期2005
• 单位莆田学院; 厦门大学