AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器(英文)

作者：刘志宏王圩王书荣赵玲娟朱洪亮周帆王鲁峰丁颖

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (06): 620-625.

• AlInAs氧化物限制
• 脊波导
• 边发射
• 激光器 AlInAs-oxide confinement
• RWG
• edge emitting
• laser

研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的 1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器 .有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层 .这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制 .当电流通道为 5 μm宽时 ,获得了 12 9mA的阈值电流和 0 4 7W /A的斜率效率 .与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比 ,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了 31 7% ,斜率效率稍微有所提高 .低阈值和高效率的特性表明 ,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制 .这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36 1° ,而...

• 出版日期2004
• 单位中国科学院半导体研究所