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摘要
忽略开关过程中SiC MOSFET寄生电容和电感的损耗和导通过程中占空比变化导致的导通损耗会降低三相全桥逆变器的损耗计算精度。为了解决上述问题，提出了一种考虑寄生电容、电感的SiC MOSFET物理模型，通过数据手册分段取值和振荡法获得寄生电容和电感，计算了开关过程中寄生电感和电容产生的损耗，推导出在空间矢量脉宽调制（SVPWM）下的平均导通损耗公式，得到三相全桥损耗。最后在基于SiC MOSFET 的永磁同步电机控制系统上进行实验，分析了PWM频率对三相全桥损耗的影响，验证了SiC MOSFET物理模型参数的准确性，且基于SiC MOSFET物理模型的损耗计算方法能提高逆变器的损耗计算精度。
- 出版日期2022-11-17
- 单位河北工业大学
