基于100 nm砷化镓pHEMT工艺的C波段宽带低噪声放大器芯片

作者：田洪亮; 何美林; 刘海文^*

来源：天文学报, 2023, 64(04): 36-44.

DOI：10.15940/j.cnki.0001-5245.2023.04.004

• 仪器
• 望远镜
• 技术:射电天文
• 技术:低噪声放大器

作为射电天文接收机系统的关键器件,低噪声放大器的噪声和增益性能对接收机系统的灵敏度有重要影响.采用100 nm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT)工艺,研制了一款可覆盖C波段(4–8 GHz)的低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA).所设计的LNA采用3级共源级联放大拓扑结构,栅极、漏极双电源供电.常温下测试表明,该LNA在4–8 GHz频段内平均噪声温度为60 K,在5 GHz处获得最低噪声温度50 K,通带内增益(31±1.5) dB,输入输出回波损耗均优于10 dB,芯片面积为2.1×1.1 mm2,可以应用于C波段射电天文接收机以及卫星通信系统等.

• 出版日期2023
• 单位西安交通大学