氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能

作者：赖云锋; 冯洁; 乔保卫; 凌云; 林殷茵; 汤庭鳌; 蔡炳初; 陈邦明

来源：Acta Physica Sinica, 2006, (08): 4347-4352.

DOI：10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.095

• 相变存储器
• 多态存储
• N掺杂
• Ge2Sb2Te5 phase change memory
• multiple-state storage
• nitrogen doping
• Ge_2Sb_2Te_5

通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.

• 出版日期2006
• 单位专用集成电路与系统国家重点实验室; 上海交通大学; 薄膜与微细技术教育部重点实验室