Al_2O_3基陶瓷及玻璃基底制备Ta-N薄膜微结构与电学特性的比较研究

作者：马扬昭; 谢中; 周艳明; 夏丰金; 冯双磊; 李科

来源：材料导报, 2012, 26(10): 23-26.

DOI：10.3969/j.issn.1005-023X.2012.10.007

• Al2O3基陶瓷基底
• 玻璃基底
• Ta-N薄膜
• 反应磁控溅射
• 氮分压
• 电阻温度系数

在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长;Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变;薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响;N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜。

• 出版日期2012
• 单位湖南大学