摘要

采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO_(2)掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO_(2)掺杂对Si-B复合涂层在1 150 °C氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO_(2)掺杂前后Si-B复合涂层在1 150 °C下氧化160 h的氧化动力学行为。结果表明:适量CeO_(2)的掺杂对Si具有一定的催渗效果,当CeO_(2)掺杂量为1%(质量分数)时,所制备的Si-B复合涂层的厚度最厚且均匀致密,但随着CeO_(2)掺杂量的增加,涂层厚度有所减小。CeO_(2)掺杂Si-B复合涂层在1150 °C下氧化前70 h的氧化速率常数值(1....