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Analysis and Modeling of the Snapback Voltage for Varying Buried Oxide Thickness in SOI-LDMOS Transistors
作者：Nikhil KrishnanNadar Savithry; DasGupta Nandita; DasGupta Amitava; Chakravorty Anjan
来源：
IEEE Transactions on Electron Devices
, 2016, 63(10): 4003-4010.
DOI：10.1109/TED.2016.2600265
出版日期
2016-10
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