单源聚合物先驱体法制备SiC基复相陶瓷的研究进展

作者：杨乐; 陈晶玲; 钟丽娜; 雷廷平; 余兆菊

来源：中国陶瓷, 2017, 53(06): 1-7.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2017.06.001

• 单源聚合物先驱体法
• 碳化硅
• 异质元素
• 复相陶瓷

在碳化硅(SiC)陶瓷中引入异质元素可赋予其更优异的性能,如良好的热稳定性和独特的电磁性能。采用单源聚合物先驱体法制备陶瓷,通过合成不同结构的单源聚合物先驱体,可在原子尺度设计、调控陶瓷的组成和微结构等方面,达到优化陶瓷性能的目的。根据近年来的研究成果,介绍了单源聚合物先驱体制备Si-B-C、Si-M-C(M=Ti,Zr,Hf)和Si-M-C(M=Fe,Ni)复相陶瓷的研究动态,并展望了其今后的发展趋势。

• 出版日期2017
• 单位厦门大学; 华侨大学