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摘要
本发明提出了一种具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法,该器件的主要特点是采用了P型屏蔽层,同时利用AlGaN/GaN异质结的二维电子气和特殊的漂移区形成电流的低阻导电通道。由于P型屏蔽层的作用,可以减小沟道的浓度以获取合适的阈值电压。器件关断时,P型屏蔽层有效降低了栅介质层中的峰值电场,提高了器件的可靠性,二维电子气引入了新的电荷,改变了器件中的电场分布,提高了击穿电压,同时弱化了击穿电压与漂移区浓度之间的矛盾关系。器件导通时,由于新的导电通道改变了传统垂直型场效应晶体管的电流分布,使得在漂移区浓度较低的情况下也能实现较低的导通电阻。
- 出版日期2019-1-28
- 单位西安电子科技大学
