Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响

作者：李新坤; 李清山; 梁德春; 徐言东; 谢小军

来源：中国科学E辑:技术科学 , 2009, (07): 1269-1274.

• ZnO
• 肖特基势垒
• 接触界面
• MSM结构

利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的I-V测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的...

• 出版日期2009
• 单位鲁东大学; 中国科学院半导体研究所; 曲阜师范大学