用直流反应磁控溅射方法在透明平面玻璃上制备出Al掺杂ZnO薄膜,并对其结构和温差电动势率进行研究。实验结果表明,所制备样品具有C轴择优取向的多晶结构,温差电动势随着温差(ΔT)的增大而呈线性增加。并且样品的电阻越大,温差电动势率越小。在室温附近的环境温度对温差电动势率几乎无影响。退火处理后,温差电动势率增大。实验还发现,在外加磁场时,温差电动势率稍微减小。
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