新型恒压控制型负阻HBT的研制进展

作者：齐海涛; 郭维廉; 张世林

来源：半导体技术, 2007, (07): 553-557.

• 负阻
• 异质结双极晶体管
• 电流峰谷比 negative differential resistance
• HBT
• current peak-to-valley ratio

研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT。超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/GaAs体系DHBT中均得到了验证。双基区和电阻栅型负阻HBT均为复合型负阻器件。双基区负阻HBT通过刻断基区,电阻栅负阻HBT通过在集电区制作基极金属形成集电区反型层,构成纵向npn与横向pnp的复合结构,由反馈结构(pnp)的集电极电流来控制主结构(npn)的基极电流从而产生负阻特性。3类负阻HBT与常规HBT在结构和工艺上兼容,兼具HBT...

• 出版日期2007
• 单位天津大学; 中国电子科技集团公司第十三研究所