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摘要
在无催化剂的条件下,利用碳热还原反应气相沉积法制备出了高产率单晶Sn掺杂ZnO纳米带.XRD和TEM研究表明纳米带为结晶完好的纤锌矿结构,生长方向沿[0001],EDS分析表明纳米带中Sn元素含量约为1.9%.室温光致发光谱(PL)显示掺锡氧化锌纳米带存在强的绿光发射峰和较弱的紫外发射峰,谱峰峰位中心分别位于494.8nm和398.4nm处,并对发光机制进行了分析.这种掺杂纳米带有望作为理想的结构单元应用于纳米尺度光电器件领域.
- 出版日期2007
- 单位新金属材料国家重点实验室; 北京科技大学
