不同材料上共面波导线的损耗研究

作者：单伟国; 骆苏华; 杨中海; 李凌云; 孙晓玮

来源：固体电子学研究与进展, 2006, (03): 321-324.

• 共面波导
• 传输线
• 绝缘体上硅
• 地屏蔽 CPW
• transmission line
• SOI
• shield ground

研究不同衬底材料上共面波导(CPW)线的损耗特性。实验结果表明,采用低阻SOI(20Ω·cm)作衬底制作的共面波导线的损耗比在低阻硅(20Ω·cm)上制作的有明显减少;而采用低阻硅,并沉积1μmSiO2作衬底的CPW线损耗大大降低。采用高阻SOI(1000Ω·cm)制备的CPW线在2GHz损耗仅为0.13dB/mm;通过在低阻硅上采用地屏蔽技术也可以有效地改善传输线的损耗特性,在整个频段内的损耗可与高阻SOI硅衬底上相比拟。

• 出版日期2006
• 单位电子科技大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所