Si在TiN(001)表面吸附特性的第一原理研究

作者：刘学杰; 邱阳; 孙士阳

来源：化学工程与装备, 2008, (03): 51-53.

• 第一原理
• 晶格常数
• 吸附能

本文基于密度泛函理论的第一原理方法,研究了Si在TiN(001)表面的吸附问题。首先计算了TiN的晶格常数值,得到了比较满意的结果。其次计算了Si原子在TiN(001)不同的吸附位置的吸附能,加以比较,计算得到HOLLOW位是比较理想的吸附位置。

• 出版日期2008-3-15
• 单位内蒙古科技大学